Bellek kesimi birinci NAND teknolojisini kullanıma sunduktan sonra istifleme sistemi ile modülleri düzenleyerek daha verimli depolama tahlilleri geliştirmeye başladı. 3D NAND yahut V-NAND üzere farklı pazarlama başlıkları altında gördüğümüz istif NAND belleklerde katmanlar giderek artıyor.

Birinci 176 katmanlı NAND bellek

Üreticiler tıpkı zar alanı üzerinde NAND bellek katmanlarını istifleyerek hem alandan tasarruf ediyor hem de güç verimliliği sağlıyor. Tıpkı zar alanında daha ağır kapasite yahut tıpkı kapasitede daha küçük zar alanları mümkün oluyor.

NAND belleklerde katman yarışı da son periyotta güzelce hızlandı. Micron bu hafta yaptığı açıklamada bölümün birinci 176 katmanlı NAND bellek modülünü geliştirdiğini duyurdu. Yeni bellek en yakın rakibinden yüzde 40 daha fazla.

Yeni bellekler Micron’un beşinci jenerasyon 3D NAND çalışmalarında yer alıyor. İkinci jenerasyon akım geçişi mimarisini temel alan TLC bellek modülleri 96 katmanlı modüllere nazaran gecikmeleri yüzde 35 azaltıyor, yüzde 30 daha küçük zar alanı kaplıyor ve data transfer oranlarını 1600MT/s düzeyine çıkarıyor.

Gelişen hizmet kalitesi sayesinde yapay zeka süreçleri, büyük bilgi tahlilleri, 5G telefonlarda akıcı uygulama geçişleri ve çoklu uygulama idareleri mümkün olacak.

176 katmanlı NAND bellekler Micron’un Singapur’daki fabrikasında üretiliyor. Kendi markası Crucial başta olmak üzere pek çok marka 176 katmanlı NAND belleklerini gelecek yıl itibariyle piyasaya sürecek.